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J-GLOBAL ID：200902010679246345   整理番号：90A0371441

多結晶シリコン負荷抵抗セルを持つ4MビットSRAMの新プロセス技術

A new process technology for a 4Mbit SRAM with polysilicon load resistor cell.

著者 (7件)： YUZURIHA K (Mitsubishi Electric Corp., Itami, JPN) ,  ICHINOSE K (Mitsubishi Electric Corp., Itami, JPN) ,  MUKAI T (Mitsubishi Electric Corp., Itami, JPN) ,  KOHNO Y (Mitsubishi Electric Corp., Itami, JPN) ,  SHIMIZU M (Mitsubishi Electric Corp., Itami, JPN) ,  INUISHI M (Mitsubishi Electric Corp., Itami, JPN) ,  MATSUKAWA T (Mitsubishi Electric Corp., Itami, JPN)
資料名： Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology  (Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology)
巻： 1989  ページ： 61-62  発行年： 1989年 
JST資料番号： A0035B  ISSN： 0743-1562  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 四層多結晶シリコン/二層アルミニウムプロセス技術を用いること...

シソーラス用語： SRAM ,...

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分類 (1件)： 記憶装置  (JC04060F)

タイトルに関連する用語 (6件)： 多結晶シリコン ,  負荷抵抗 ,  セル ,  ビット ,  SRAM ,  プロセス