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J-GLOBAL ID：200902015479993350   整理番号：86A0298424

MBE(分子ビームエピタクシー)成長中のヘテロ接合および量子井戸形成のRHEED(反射高速電子回折)による研究 多重散乱からバンドオフセットまで

RHEED studies of heterojunction and quantum well formation during MBE growth - From multiple scattering to band offsets.

著者 (7件)： JOYCE B A (Philips, UK) ,  DOBSON P J (Philips, UK) ,  NEAVE J H (Philips, UK) ,  WOODBRIDGE K (Philips, UK) ,  ZHANG J (Imperial Coll. Science and Technology, London) ,  LARSEN P K (Philips Nederlandse Bedrijven BV, The Netherlands) ,  BO^LGER B (Philips Nederlandse Bedrijven BV, The Netherlands)
資料名： Surface Science  (Surface Science)
巻： 168  号： 1/3  ページ： 423-438  発行年： 1986年03月 
JST資料番号： C0129B  ISSN： 0039-6028  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： RHEED強度振動法から導かれる基本的概念と1次成長模型につ...

シソーラス用語： ヘテロ接合 ,...

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分類 (1件)： 半導体-半導体接触【’81~’92】  (BM03072N)

タイトルに関連する用語 (10件)： MBE ,  分子ビームエピタクシー ,  成長 ,  ヘテロ接合 ,  量子井戸 ,  RHEED ,  反射高速電子回折 ,  研究 ,  多重散乱 ,  バンドオフセット