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J-GLOBAL ID：200902015482511740   整理番号：91A0563369

局所ドーピング法による固相成長薄膜SOIの形成

Thin Film SOI Formation by Solid Phase Epitaxy using Local Doping Technique.

著者 (4件)： 茂庭昌弘 (日立 中研) ,  楠川喜久雄 (日立 中研) ,  大倉理 (日立 中研) ,  間所祐一 (日立 中研)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 38th  号： Pt 2  ページ： 615  発行年： 1991年03月 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

タイトルに関連する用語 (4件)： ドーピング ,  固相成長 ,  薄膜 ,  SOI