文献
J-GLOBAL ID：200902015485526942
整理番号：86A0236445
n型GaAs中の1/f雑音の形成における表面の役割
О роли поверхности в формировании шума 1/f в n-GaAs.
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著者 (2件)：
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資料名：
巻：
19
号：
11
ページ：
2080-2082
発行年：
1985年11月
JST資料番号：
R0267A
ISSN：
0015-3222
CODEN：
ETPPA
資料種別：
逐次刊行物 (A)
記事区分：
短報
発行国：
ロシア (RUS)
言語：
ロシア語 (RU)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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+型GaAs基板上にn型エピタクシー...
シソーラス用語：
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分類 (2件)：
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
半導体-金属接触【’81~’92】
, 雑音一般
タイトルに関連する用語 (3件)：
タイトルに関連する用語
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