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文献
J-GLOBAL ID:200902015489147466   整理番号:92A0820994

選択的三次元微細構造形成のためのGaAsへのNの深いイオン注入

Deep implantation of nitrogen into GaAs for selective three-dimensional microstructuring.
著者 (4件):
資料名:
巻: 72  号:ページ: 2700-2704  発行年: 1992年10月01日 
JST資料番号: C0266A  ISSN: 0021-8979  CODEN: JAPIAU  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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n型GaAsへのNの深いイオン注入の結果を示す。GaAs中に...
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分類 (1件):
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半導体の放射線による構造と物性の変化 
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