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J-GLOBAL ID：200902015492540730   整理番号：91A0658271

GaAs(100)微斜面上のAlにおける界面化学,障壁高さ,ステップ密度間の相関性

Correlation of interface chemistry, barrier height, and step density for Al on vicinal GaAs(100) surfaces.

著者 (7件)： CHANG S (Xerox Webster Research Center, New York) ,  VITOMIROV I M (Xerox Webster Research Center, New York) ,  BRILLSON L J (Xerox Webster Research Center, New York) ,  RIOUX D F (Univ. Wisconsin, Wisconsin) ,  KIRCHNER P D (IBM T.J. Watson Research Center, New York) ,  PETTIT G D (IBM T.J. Watson Research Center, New York) ,  WOODALL J M (IBM T.J. Watson Research Center, New York)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films  (Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films)
巻： 9  号： 3 Pt 1  ページ： 902-906  発行年： 1991年05月 
JST資料番号： C0789B  ISSN： 0734-2101  CODEN： JVTAD6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： [111]B方向に1°,2°,4°[111]A方向に2°,お...

シソーラス用語： アルミニウム ,...

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分類 (1件)： 半導体-金属接触【’81~’92】  (BM03073E)

タイトルに関連する用語 (7件)： GaAs ,  微斜面 ,  Al ,  界面化学 ,  障壁高さ ,  密度 ,  相関性