きのこ形ゲートをもつGaAs-FET製作のためのフォーカストイオンビームリソグラフィーにおけるレジストレーション精度

YASUOKA A; HOSONO K; MORIMOTO H; SASAKI Y; WATAKABE Y; KATO T

文献

J-GLOBAL ID：200902015492769427 整理番号：90A0292095

きのこ形ゲートをもつGaAs-FET製作のためのフォーカストイオンビームリソグラフィーにおけるレジストレーション精度

Registration accuracy in focused-ion-beam lithography for the fabrication of a GaAs FET with a mushroom gate.

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資料名：
巻： 136 号： 10 ページ： 3030-3033 発行年： 1989年10月
JST資料番号： C0285A ISSN： 1945-7111 CODEN： JESOAN 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

GaAs-HEMTのきのこ形ゲート製作のための,SiおよびB...

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固体デバイス製造技術一般

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