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J-GLOBAL ID：200902015495605166   整理番号：93A0751776

Microstructure, optoelectronic properties and saturated defect density of a-Si:H prepared in VHF-glow discharge using Ar and Xe dilution.

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著者 (8件)：
KROLL U

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(Univ. Neucha^tel, Neucha^tel, CHE)

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FINGER F

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(Forschungszentrum Juelich, Juelich, DEU)

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DUTTA J

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(Ecole Polytechnique, Palaiseau, FRA)

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KEPPNER H

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(Univ. Neucha^tel, Neucha^tel, CHE)

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SHAH A

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HOWLING A

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(Ecole Polytechnique Fe ́de ́ral, Lausanne, CHE)

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DORIER J-L

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(Ecole Polytechnique Fe ́de ́ral, Lausanne, CHE)

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HOLLENSTEIN C

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(Ecole Polytechnique Fe ́de ́ral, Lausanne, CHE)

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資料名：
Amorphous Silicon Technology - 1992  (Amorphous Silicon Technology - 1992)

Amorphous Silicon Technology - 1992 について


ページ： 135-140  発行年： 1992年 
JST資料番号： K19930422  ISBN： 1-55899-153-0  資料種別： 会議録 (C)
発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
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