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J-GLOBAL ID：200902015503251786   整理番号：82A0376369

テルルをドープしたCdS真空蒸着薄膜の性質

Properties of tellurium doped vacuum evaporated CdS thin films.

著者 (3件)： BANERJEE R (Indian Assoc. Cultivation of Science) ,  RAY S (Indian Assoc. Cultivation of Science) ,  BARUA A K (Indian Assoc. Cultivation of Science)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 21  号： 1  ページ： L43-L45  発行年： 1982年01月 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： CdS蒸着膜へのTeのドーピングによる,暗電気伝導度,光電導...

シソーラス用語： 硫化カドミウム ,...

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分類 (3件)： 光伝導,光起電力  (BM03050J) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  不純物・欠陥の電子構造  (BM02100I)

タイトルに関連する用語 (6件)： テルル ,  ドープ ,  CdS ,  真空蒸着 ,  薄膜 ,  性質