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J-GLOBAL ID:200902015518614788   整理番号:84A0063644

VLSIデバイス中のホットエレクトロン信頼性モデリング

Hot electron reliability modeling in VLSI devices.
著者 (3件):
資料名:
巻: 21st  ページ: 96-101  発行年: 1983年 
JST資料番号: A0631A  ISSN: 1541-7026  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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ホットエレクトロントラッピングのデバイス寸法と印加ゲートバイ...
シソーラス用語:
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分類 (2件):
分類
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固体デバイス計測・試験・信頼性  ,  半導体集積回路 
タイトルに関連する用語 (3件):
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