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文献
J-GLOBAL ID:200902015520093175   整理番号:86A0027839

分子ビームエピタクシーに先立つGaAs(001)およびInP(001)の清浄化工程のX線光電子分光による研究

X-ray photoelectron spectroscopy study of GaAs (001) and InP (001) cleaning procedures prior to molecular beam epitaxy.
著者 (3件):
資料名:
巻: 24  号:ページ: L563-L565  発行年: 1985年07月 
JST資料番号: F0599B  ISSN: 0021-4922  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
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分類 (2件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
固体デバイス製造技術一般  ,  薄膜成長技術・装置 

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