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J-GLOBAL ID：200902015522264171   整理番号：91A0428110

帯域溶融再結晶法によるシリコン・オン・インシュレータウエハ

Silicon-on-insulator wafers by zone melting recrystallization.
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著者 (3件)：
ZAVRACKY P M

ZAVRACKY P M について

(Kopin Corp., Massachusetts)

Kopin Corp., Massachusetts について

, 
VU D-P

VU D-P について

(Kopin Corp., Massachusetts)

Kopin Corp., Massachusetts について

, 
BATTY M

BATTY M について

(Kopin Corp., Massachusetts)

Kopin Corp., Massachusetts について


資料名：
Solid State Technology  (Solid State Technology)

Solid State Technology について


巻： 34  号： 4  ページ： 55-57  発行年： 1991年04月 
JST資料番号： E0226A  ISSN： 0038-111X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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1200°Cに加熱したウエハ(エピ・ポリ層)上を2300°Cのグ...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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SOI構造

SOI構造 について

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分類 (1件)：
分類
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固体デバイス製造技術一般 
(NC03030V)

固体デバイス製造技術一般 について

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帯域溶融

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再結晶

再結晶 について


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