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J-GLOBAL ID：200902015527690152   整理番号：91A0102841

(Al,Ga)As/NiAl/(Al,Ga)AsのMBE成長と構造評価

MBE growth and characterization of (Al, Ga)As/NiAl/(Al, Ga)As.

著者 (1件)： 佐野直克 (関西学院大 理)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 90  号： 297(ED90 93-104)  ページ： 71-76  発行年： 1990年11月15日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： III-V化合物半導体(Al,Ga)As上に金属間化合物Ni...

シソーラス用語： MBE成長 ,...

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分類 (1件)： その他の半導体を含む系の接触【’81~’92】  (BM03075M)

タイトルに関連する用語 (4件)： Al ,  Ga ,  MBE成長 ,  構造評価