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J-GLOBAL ID：200902015537052227   整理番号：88A0493279

640Kトランジスタのゲートの海の1.2μmHCMOS技術

A 640K transistor sea-of-gates 1.2μ micron HCMOS technology.
著者 (2件)：
BLUMBERG R

BLUMBERG R について

(Thomson Components-Mostek, TX, USA)

Thomson Components-Mostek, TX, USA について

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WAGGONER C

WAGGONER C について

(Thomson Components-Mostek, TX, USA)

Thomson Components-Mostek, TX, USA について


資料名：
Digest of Technical Papers. IEEE International Solid-State Circuits Conference  (Digest of Technical Papers. IEEE International Solid-State Circuits Conference)

Digest of Technical Papers. IEEE International Solid-State Circuits Conference について


巻： 31  ページ： 74-75,308  発行年： 1988年02月 
JST資料番号： D0753A  ISSN： 0193-6530  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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300psのゲート遅延と,320Kのインバータセルまでの基本...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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分類 (1件)：
分類
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集積回路一般 
(NC03161C)

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タイトルに関連する用語 (2件)：
タイトルに関連する用語
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トランジスタ

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ゲート

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