文献
J-GLOBAL ID：200902015547407830   整理番号：84A0434172

AlxGa1-xAs系におけるLPE成長速度 理論的及び実験的解析

LPE growth rate in AlxGa1-xAs system; Theoretical and experimental analysis.
著者 (1件)：
DUTARTRE D

DUTARTRE D について

(Inst. National des Sciences Appliquees de Lyon, France)

Inst. National des Sciences Appliquees de Lyon, France について


資料名：
Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)

Journal of Crystal Growth について


巻： 64  号： 2  ページ： 268-274  発行年： 1983年11月 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
固相中のAlAsのモル分率が最大0.88までの標記合金を80...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ（有料）でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
ヒ化ガリウム

ヒ化ガリウム について

,...
   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=84A0434172&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=B0942A") }}
分類 (1件)：
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
半導体薄膜 
(BK14040E)

半導体薄膜 について

タイトルに関連する用語 (3件)：
タイトルに関連する用語
J-GLOBALで独自に切り出した文献タイトルの用語をもとにしたキーワードです
LPE成長

LPE成長 について

, 
理論

理論 について

, 
実験的解析

実験的解析 について


前のページに戻る

TOP

BOTTOM