a-Si:Hのほう素とりんのドーピング効率に及ぼす外部dc基板バイアスの効果

文献

J-GLOBAL ID：200902015556955807 整理番号：86A0236794

On the influence of an external D.C. substrate bias on boron and phosphorus doping efficiencies in a-Si:H.

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資料名：
巻： 77/78 号： Pt1 ページ： 527-530 発行年： 1985年12月
JST資料番号： D0642A ISSN： 0022-3093 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

成膜時Pドープ膜では基板を正バイアスにしBドープ膜では負にバ...

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非晶質・液体半導体の電気伝導 , 半導体-半導体接触【’81~’92】 , 半導体の格子欠陥

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