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文献J-GLOBAL ID:200902015559628041整理番号:93A0676073

Transmission electron microscopy characterization of In1-xGaxSb on (001) GaAs heteroepitaxial system.

(100)GaAs上In1-xGaxAsヘテロエピタキシャル系の透過型電子顕微鏡法による特性評価

著者:ROBERTSON M D(Univ. Waterloo, Ont., CAN)、CORBETT J M(Univ. Waterloo, Ont., CAN)、WEBB J B(National Research Council of Canada, Ont., CAN)・・・
資料名:Canadian Journal of Physics 巻:70 号:10/11 ページ:866-874
発行年:1992年10月
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