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文献
J-GLOBAL ID:200902015560315456   整理番号:90A0587352

200°Cで分子ビームエピタクシー成長したGaAs層における深準位欠陥の赤外吸収 EL2型欠陥の観測

Infrared absorption of deep defects in molecular-beam-epitaxial GaAs layers grown at 200°C: Observation of an EL2-like defect.
著者 (4件):
資料名:
巻: 41  号: 14  ページ: 10272-10275  発行年: 1990年05月15日 
JST資料番号: D0746A  ISSN: 1098-0121  CODEN: PRBMDO  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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As多量GaAs層の赤外吸収スペクトルの0.55eV~バンド...
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分類 (1件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
不純物・欠陥の電子構造 

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