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J-GLOBAL ID:200902015574269880   整理番号:87A0344821

原子層エピタクシーで成長した極薄InAs/GaAs量子井戸ヘテロ構造の誘導放出

Stimulated emission from ultrathin InAs/GaAs quantum well heterostructures grown by atomic layer epitaxy.
著者 (4件):
資料名:
巻: 50  号: 18  ページ: 1266-1268  発行年: 1987年05月04日 
JST資料番号: H0613A  ISSN: 0003-6951  CODEN: APPLAB  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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分類 (1件):
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半導体レーザ 

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