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J-GLOBAL ID：200902015575775780   整理番号：89A0464763

ひ素ガス流束の中断 RHEED振動誘起とMBE成長中の(001)GaAs表面のAs被覆の測定

Arsenic flux interruptions: Induced RHEED oscillations and measurements of As coverage on the growing (001) MBE GaAs surface.

著者 (4件)： FARLEY C W (Rockwell International Science Center, CA, USA) ,  SULLIVAN G J (Rockwell International Science Center, CA, USA) ,  MONDRY M J (Rockwell International Science Center, CA, USA) ,  MILLER D L (Rockwell International Science Center, CA, USA)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 96  号： 1  ページ： 19-26  発行年： 1989年05月 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： MBE成長中の(001)GaAsへのAsガス流束中断の影響を...

シソーラス用語： MBE成長 ,...
準シソーラス用語： RHEED振動

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分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  電子回折法  (BK01030T)

タイトルに関連する用語 (7件)： ひ素 ,  流束 ,  中断 ,  RHEED振動 ,  誘起 ,  MBE成長 ,  GaAs