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文献J-GLOBAL ID:200902015576983750整理番号:87A0445028

Stable, self-aligned TiNxOy/TiSi2 contact formation for submicron device applications.

サブミクロン素子応用のための安定なセルフアライン型TiNxOy/TiSi2接触形成

著者:KU Y H(Univ. Texas at Austin, TX, USA)、LOUIS E(Univ. Texas at Austin, TX, USA)、SHIH D K(Univ. Texas at Austin, TX, USA)・・・
資料名:Appl Phys Lett 巻:50 号:22 ページ:1598-1600
発行年:1987年06月01日
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