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J-GLOBAL ID：200902015583118330   整理番号：87A0299052

仮晶形変調ドープト電界効果トランジスタの60GHzでの電力と雑音性能

Power and noise performance of the pseudomorphic modulation doped field effect transistor at 60GHz.
著者 (8件)：
HENDERSON T

HENDERSON T について

(Univ. Illinois at Urbana-Champaign, IL, USA)

Univ. Illinois at Urbana-Champaign, IL, USA について

, 
AKSUN M I

AKSUN M I について

(Univ. Illinois at Urbana-Champaign, IL, USA)

Univ. Illinois at Urbana-Champaign, IL, USA について

, 
PENG C K

PENG C K について

(Univ. Illinois at Urbana-Champaign, IL, USA)

Univ. Illinois at Urbana-Champaign, IL, USA について

, 
MORKOC H

MORKOC H について

(Univ. Illinois at Urbana-Champaign, IL, USA)

Univ. Illinois at Urbana-Champaign, IL, USA について

, 
CHAO P C

CHAO P C について

(General Electric Co., NY, USA)

General Electric Co., NY, USA について

, 
SMITH P M

SMITH P M について

(General Electric Co., NY, USA)

General Electric Co., NY, USA について

, 
DUH K H G

DUH K H G について

(General Electric Co., NY, USA)

General Electric Co., NY, USA について

, 
LESTER L F

LESTER L F について

(General Electric Co., NY, USA)

General Electric Co., NY, USA について


資料名：
Technical Digest. International Electron Devices Meeting  (Technical Digest. International Electron Devices Meeting)

Technical Digest. International Electron Devices Meeting について


巻： 1986  ページ： 464-466  発行年： 1986年 
JST資料番号： C0829B  ISSN： 0163-1918  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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仮像

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MODFET

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分類 (1件)：
分類
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トランジスタ 
(NC03070N)

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変調

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電界効果トランジスタ

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雑音性能

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