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J-GLOBAL ID：200902015585969574   整理番号：90A0520282

VPE growth of SiC on step-controlled substrates.

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著者 (5件)：
MATSUNAMI H

MATSUNAMI H について

(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)

Kyoto Univ., Kyoto, JPN について

, 
SHIBAHARA K

SHIBAHARA K について

(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)

Kyoto Univ., Kyoto, JPN について

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KURODA N

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(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)

Kyoto Univ., Kyoto, JPN について

, 
YOO W

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(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)

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, 
NISHINO S

NISHINO S について

(Kyoto Inst. Technology, Kyoto, JPN)

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資料名：
Amorphous and Crystalline Silicon Carbide and Related Materials  (Amorphous and Crystalline Silicon Carbide and Related Materials)

Amorphous and Crystalline Silicon Carbide and Related Materials について


ページ： 34-39  発行年： 1989年 
JST資料番号： K19900560  ISBN： 3-540-50706-X  資料種別： 会議録 (C)
発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)
タイトルに関連する用語 (2件)：
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SiC

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STEP

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