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J-GLOBAL ID：200902015591705775   整理番号：90A0036235

偏光解析およびRaman分光によって研究したプラズマエッチおよびスパッタGaAs(100)表面

Plasma-etched and sputtered GaAs(100) surfaces investigated by ellipsometry and Raman spectroscopy.

著者 (7件)： ROSSOW U (Rheinisches-Westfaelische Technische Hochschule, Aachen, DEU) ,  FIESELER T (Rheinisches-Westfaelische Technische Hochschule, Aachen, DEU) ,  GEURTS J (Rheinisches-Westfaelische Technische Hochschule, Aachen, DEU) ,  ZAHN D R T (Technical Univ. Berlin, Berlin, DEU) ,  RICHTER W (Technical Univ. Berlin, Berlin, DEU) ,  PUTTOCK M S (Univ. Wales, Cardiff, GBR) ,  HILTON K P (Royal Signals and Radar Establishment, Malvern, GBR)
資料名： Journal of Physics. Condensed Matter  (Journal of Physics. Condensed Matter)
巻： 1  号： Suppl B  ページ： SB231-SB233  発行年： 1989年10月 
JST資料番号： B0914B  ISSN： 0953-8984  CODEN： JCOMEL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 種々のエッチング剤およびプラズマ出力を用いて作製したGaAs...

シソーラス用語： 偏光解析法 ,...

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分類 (2件)： 無機化合物の赤外スペクトル及びRaman散乱,Ramanスペクトル  (BM08063C) ,  半導体の表面構造  (BK15030A)

タイトルに関連する用語 (6件)： 偏光解析 ,  Raman分光 ,  研究 ,  プラズマエッチ ,  スパッタ ,  GaAs