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J-GLOBAL ID:200902015595195763   整理番号:85A0125654

イオン注入でドープしたSi膜をパルス的に焼なましした時の非熱的過程の役割

О роли атермических процессов в импульсном отжиге ионно-легированных слоев Si.
著者 (3件):
資料名:
巻: 18  号:ページ: 928-930  発行年: 1984年05月 
JST資料番号: R0267A  ISSN: 0015-3222  CODEN: ETPPA  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: ロシア (RUS)  言語: ロシア語 (RU)
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n型Si結晶,その上にn+層をエピタキ...
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分類 (1件):
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半導体結晶の電気伝導 

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