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J-GLOBAL ID：200902015607121671   整理番号：93A0284088

横方向p-n接合で漏れ電流を減らした1,3μmInGaAsP/InPリッジ導波管レーザダイオード設計

Design of 1.3μm InGaAsP/InP Ridge Waveguide Laser Diode With Reduced Leakage Current Using Lateral p-n Junctions.

著者 (3件)： DO M H (Ajou Univ.) ,  KIM S B (Ajou Univ.) ,  CHUNG S K (Ajou Univ.)
資料名： Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics. A  (Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics. A)
巻： 29  号： 12  ページ： 1171-1181  発行年： 1992年12月 
JST資料番号： H0632B  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 韓国 (KOR)  言語： 韓国語 (KO)

抄録/ポイント： 高ドープp-InPリッジを二次液相エピタキシーでn-InP上...

シソーラス用語： 半導体レーザ ,...

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分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (7件)： 横方向 ,  p-n接合 ,  漏れ電流 ,  InP ,  リッジ導波管 ,  レーザダイオード ,  設計