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J-GLOBAL ID：200902015611211766   整理番号：86A0106715

自己整合置換エミッタ・プロセス法を用いたGaAs/(GaAl)Asヘテロ接合バイポーラトランジスタ

GaAs/(GaAl)As heterojunction bipolar transistors using a self-aligned substitutional emitter process.

著者 (4件)： CHANG M F (Rockwell International Corp., CA) ,  ASBECK M (Rockwell International Corp., CA) ,  MILLER D L (Rockwell International Corp., CA) ,  WANG K C (Rockwell International Corp., CA)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 7  号： 1  ページ： 8-10  発行年： 1986年01月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 新しいデュアル・レベル・レジスト,ダブル・リフト・オフ,ダミ...

シソーラス用語： ヘテロ接合 ,...
準シソーラス用語： リフトオフ

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 自己整合 ,  置換 ,  エミッタ ,  プロセス ,  GaAs ,  ヘテロ接合バイポーラトランジスタ