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文献
J-GLOBAL ID:200902015619900072   整理番号:92A0500990

Pd-p(n)-InPおよびPd-n-GaPダイオード構造の電気的性質と光電性に及ぼす水素の影響のメカニズム

Mechanisms of the influence of hydrogen on the electrical and photoelectric properties of Pd-p(n)-InP and Pd-n-GaP diode structures.
著者 (6件):
資料名:
巻: 36  号:ページ: 1065-1067  発行年: 1991年09月 
JST資料番号: E0952A  ISSN: 0038-5662  CODEN: SPTPA3  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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分類 (2件):
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半導体-金属接触【’81~’92】  ,  ダイオード 

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