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J-GLOBAL ID：200902015630576660   整理番号：90A0066199

Interaction of thin Ga overlayer with InP(110): A photoemission study.

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著者 (5件)：
CAO R

CAO R について

(Stanford Univ., CA)

Stanford Univ., CA について

, 
MIYANO K

MIYANO K について

(Stanford Univ., CA)

Stanford Univ., CA について

, 
KENDELEWICZ T

KENDELEWICZ T について

(Stanford Univ., CA)

Stanford Univ., CA について

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LINDAU I

LINDAU I について

(Stanford Univ., CA)

Stanford Univ., CA について

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SPICER W E

SPICER W E について

(Stanford Univ., CA)

Stanford Univ., CA について


資料名：
Synchrotron Radiation in Materials Research  (Synchrotron Radiation in Materials Research)

Synchrotron Radiation in Materials Research について


ページ： 103-108  発行年： 1989年 
JST資料番号： K19890559  ISBN： 1-55899-016-X  資料種別： 会議録 (C)
発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
タイトルに関連する用語 (2件)：
タイトルに関連する用語
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Ga

Ga について

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InP

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