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J-GLOBAL ID:200902015634157920   整理番号:90A0383506

レーザおよび熱アニールされたAsイオン注入Si試料の電気的活性度と構造進展の相関

Electrical activity and structural evolution correlations in laser and thermally annealed As-implanted Si specimens.
著者 (8件):
資料名:
巻: 67  号:ページ: 2320-2332  発行年: 1990年03月01日 
JST資料番号: C0266A  ISSN: 0021-8979  CODEN: JAPIAU  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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半導体の放射線による構造と物性の変化 

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