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J-GLOBAL ID：200902015642984356   整理番号：89A0383201

固相シリサイド形成反応中のイオン打込みシリコンの熱処理

Stimulated annealing of ion-implanted silicon during a solid-phase silicide formation reaction.
著者 (4件)：
ITAL’YANTSEV A G

ITAL’YANTSEV A G について

(Inst. Problems of the Technology of Microelectronics and Especially Pure Materials, Academy of Sciences of the USSR, SUN)

Inst. Problems of the Technology of Microelectronics and Especially Pure Materials, Academy of Sciences of the USSR, SUN について

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KRASNOBAEV L Y

KRASNOBAEV L Y について

(Inst. Problems of the Technology of Microelectronics and Especially Pure Materials, Academy of Sciences of the USSR, SUN)

Inst. Problems of the Technology of Microelectronics and Especially Pure Materials, Academy of Sciences of the USSR, SUN について

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KUZNETSOV A Y

KUZNETSOV A Y について

(Inst. Problems of the Technology of Microelectronics and Especially Pure Materials, Academy of Sciences of the USSR, SUN)

Inst. Problems of the Technology of Microelectronics and Especially Pure Materials, Academy of Sciences of the USSR, SUN について

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MORDKOVICH V N

MORDKOVICH V N について

(Inst. Problems of the Technology of Microelectronics and Especially Pure Materials, Academy of Sciences of the USSR, SUN)

Inst. Problems of the Technology of Microelectronics and Especially Pure Materials, Academy of Sciences of the USSR, SUN について


資料名：
Soviet Technical Physics Letters  (Soviet Technical Physics Letters)

Soviet Technical Physics Letters について


巻： 14  号： 7  ページ： 516-517  発行年： 1988年07月 
JST資料番号： H0665A  ISSN： 0360-120X  CODEN： STPLD2  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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イオン打込みしたシリコン中の不純物原子の電気的活性と照射誘起...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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ケイ素

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J中心

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分類 (2件)：
分類
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半導体の放射線による構造と物性の変化 
(BK16123E)

半導体の放射線による構造と物性の変化 について

,  半導体の格子欠陥 
(BK12040Q)

半導体の格子欠陥 について

タイトルに関連する用語 (5件)：
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固相

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シリサイド

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イオン打込み

イオン打込み について

, 
シリコン

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, 
熱処理

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