文献
J-GLOBAL ID：200902015654096057   整理番号：94A0149507

Structural Defects in Epitaxial Layers SiC-3C/Si Grown by CVD.

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著者 (4件)：
KYUTT R N

KYUTT R N について

(A.F. Ioffe Physical-Technical Inst., Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, SUN)

A.F. Ioffe Physical-Technical Inst., Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, SUN について

, 
NIKITINA I P

NIKITINA I P について

(A.F. Ioffe Physical-Technical Inst., Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, SUN)

A.F. Ioffe Physical-Technical Inst., Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, SUN について

, 
RUVIMOV S S

RUVIMOV S S について

(A.F. Ioffe Physical-Technical Inst., Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, SUN)

A.F. Ioffe Physical-Technical Inst., Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, SUN について

, 
BAITHER D

BAITHER D について

(Max-Planck Inst. Mikrostrukturphysik, Halle(Saale), DEU)

Max-Planck Inst. Mikrostrukturphysik, Halle(Saale), DEU について


資料名：
Amorphous and Crystalline Silicon Carbide 4  (Amorphous and Crystalline Silicon Carbide 4)

Amorphous and Crystalline Silicon Carbide 4 について


ページ： 198-205  発行年： 1992年 
JST資料番号： K19940075  ISBN： 3-540-55687-7  資料種別： 会議録 (C)
発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)
タイトルに関連する用語 (3件)：
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SiC

SiC について

, 
Si

Si について

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CVD

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