Ga<sub>1-x</sub>Al<sub>x</sub>Asの濃度依存誘電応答

CSAVINSZKY P; BROWNSTEIN K R

文献

J-GLOBAL ID：200902015665075558 整理番号：84A0077425

Ga_1-xAl_xAsの濃度依存誘電応答

Concentration-dependent dielectric response of Ga_1-xAl_xAs.

出版者サイト複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=84A0077425&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=84A0077425&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=D0746A") }}

著者 (2件)： ,
資料名：
巻： 28 号： 4 ページ： 2226-2228 発行年： 1983年08月15日
JST資料番号： D0746A ISSN： 1098-0121 CODEN： PRBMDO 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

組成x=0.05-0.45(0.05刻み)に対する,標記物質...

,...

続きはJDreamIII（有料）にて {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=84A0077425&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=D0746A") }}

半導体結晶の電子構造 , 誘電体一般

前のページに戻る

Ga1-xAlxAsの濃度依存誘電応答

Ga_1-xAl_xAsの濃度依存誘電応答