J-GLOBAL ID:200902015671087053整理番号:84A0382023
InGaAs PIN photodiode fabricated on semi-insulating InP substrate for monolithic integration.
モノリシック集積化のため半絶縁性InP基板上に製作されたInGaAs PINフォトダイオード
著者:LI K(TRW, CA)、REZEK E(TRW, CA)、LAW H D(TRW, CA)
資料名:Electron Lett 巻:20 号:5 ページ:196-198
発行年:1984年03月01日
資料名:Electron Lett 巻:20 号:5 ページ:196-198
発行年:1984年03月01日