モノリシック集積化のため半絶縁性InP基板上に製作されたInGaAs PINフォトダイオード

LI K; REZEK E; LAW H D

文献

J-GLOBAL ID：200902015671087053 整理番号：84A0382023

モノリシック集積化のため半絶縁性InP基板上に製作されたInGaAs PINフォトダイオード

InGaAs PIN photodiode fabricated on semi-insulating InP substrate for monolithic integration.

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巻： 20 号： 5 ページ： 196-198 発行年： 1984年03月01日
JST資料番号： A0887A ISSN： 0013-5194 CODEN： ELLEAK 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

光集積回路に適した低暗電流,高速InGaAs PINフォトダ...

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光導電素子 , 光集積回路,集積光学

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