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J-GLOBAL ID：200902015673145557   整理番号：89A0299435

歪層Si/Ge半導体超格子の構造と電子的性質

Structure and electronic properties of strained Si/Ge semiconductor superlattices.
著者 (2件)：
CIRACI S

CIRACI S について

(Bilkent Univ., Ankara, TUR)

Bilkent Univ., Ankara, TUR について

, 
BATRA I P

BATRA I P について

(IBM Research Division, CA, USA)

IBM Research Division, CA, USA について


資料名：
NATO ASI Series. B. Physics  (NATO ASI Series. B. Physics)

NATO ASI Series. B. Physics について


巻： 183  ページ： 319-331  発行年： 1988年 
JST資料番号： C0189B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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標記SiGeアロイと超格子の安定性,構造相転移および電子的性...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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人工超格子

人工超格子 について

,...
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分類 (2件)：
分類
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半導体-半導体接触【’81~’92】 
(BM03072N)

半導体-半導体接触【’81~’92】 について

,  半導体結晶の電子構造 
(BM02060N)

半導体結晶の電子構造 について

タイトルに関連する用語 (6件)：
タイトルに関連する用語
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歪層

歪層 について

, 
Si

Si について

, 
Ge

Ge について

, 
半導体超格子

半導体超格子 について

, 
電子

電子 について

, 
性質

性質 について


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