a-Si:HのTOFの正孔飛行時間の電場依存性

文献

J-GLOBAL ID：200902015674126424 整理番号：92A0432254

Electric Field Dependence of Hole Transit Time in TOF Experiments in a-Si:H.

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資料名：
巻： 39th 号： Pt 2 ページ： 757 発行年： 1992年03月
JST資料番号： Y0054A 資料種別：会議録 (C)
発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

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