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J-GLOBAL ID：200902015682907079   整理番号：92A0423266

傾斜基板上に成長したInGaP/InGaAlP量子井戸構造の評価

Characterization of InGaP/InGaAlP quantum wells grown on misoriented substrates.

著者 (3件)： 渡辺実 (東芝 総研) ,  岡島正季 (東芝 総研) ,  波多腰玄一 (東芝 総研)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 39th  号： Pt 1  ページ： 262  発行年： 1992年03月 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

タイトルに関連する用語 (4件)： 成長 ,  InGaP ,  量子井戸 ,  評価