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J-GLOBAL ID：200902015684804692   整理番号：87A0512505

3MeVのSi⁺をイオン注入したシリコンの損傷の熱処理効果

Damage annealing behavior of 3MeV Si⁺-implanted silicon.

著者 (3件)： RAI A K (Universal Energy Systems, Inc., OH, USA) ,  BAKER J (Universal Energy Systems, Inc., OH, USA) ,  INGRAM D C (Universal Energy Systems, Inc., OH, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 51  号： 3  ページ： 172-174  発行年： 1987年07月20日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 3MeVのSi⁺を5×10<sup>1...

シソーラス用語： イオン注入 ,...

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分類 (1件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E)

タイトルに関連する用語 (4件)： イオン注入 ,  シリコン ,  損傷 ,  熱処理