中性子照射したSiCの焼なまし中の欠陥消滅とバブルスエリングに及ぼす外部応力の影響

SUZUKI T; YANO T; ISEKI T; MORI T

文献

J-GLOBAL ID：200902015689546802 整理番号：90A0743732

中性子照射したSiCの焼なまし中の欠陥消滅とバブルスエリングに及ぼす外部応力の影響

Effects of external stress on defect annihilation and bubble swelling during annealing of neutron-irradiated silicon carbide.

出版者サイト複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=90A0743732&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=90A0743732&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=C0253A") }}

著者 (4件)： , , ,
資料名：
巻： 73 号： 8 ページ： 2435-2440 発行年： 1990年08月
JST資料番号： C0253A ISSN： 0002-7820 CODEN： JACTAW 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

3種類のSiCを中性子照射し,次いでこれらを無応力下または圧...

,...

続きはJDreamIII（有料）にて {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=90A0743732&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=C0253A") }}

セラミック・陶磁器の製造 , プラズマ装置,核融合装置

, , , , , ,

前のページに戻る