分子線エピタクシーで成長させた(InAs)<sub>m</sub>(GaAs)<sub>n</sub>歪み超格子の構造的および振動特性

SCAMARCIO G; BRANDT O; TAPFER L; MOWBRAY D J; CARDONA M; PLOOG K

文献

J-GLOBAL ID：200902015692517252 整理番号：91A0261100

分子線エピタクシーで成長させた(InAs)_m(GaAs)_n歪み超格子の構造的および振動特性

Structural and vibrational properties of (InAs)_m (GaAs)_n strained superlattices grown by molecular beam epitaxy.

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資料名：
巻： 69 号： 2 ページ： 786-792 発行年： 1991年01月15日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

高度に格子不整合なInAsとGaAsの多周期超格子の構造的お...

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半導体-半導体接触【’81~’92】 , 結晶中のフォノン・格子振動

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分子線エピタクシーで成長させた(InAs)m(GaAs)n歪み超格子の構造的および振動特性

分子線エピタクシーで成長させた(InAs)_m(GaAs)_n歪み超格子の構造的および振動特性