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J-GLOBAL ID：200902015697207766   整理番号：91A0069460

Si(100)上のGe超薄膜の小角X線反射研究

Low angle x-ray reflection study of ultrathin Ge films on (100)Si.

著者 (1件)： BARIBEAU J-M (National Research Council Canada, Ottawa, CAN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 57  号： 17  ページ： 1748-1750  発行年： 1990年10月22日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 分子線エピタクシーによりSi(100)上に成長させたGe超薄...

シソーラス用語： MBE成長 ,...

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分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  X線回折法  (BK01020I)

タイトルに関連する用語 (5件)： Si ,  Ge ,  超薄膜 ,  X線反射 ,  研究