中性子照射に起因するシリコン中の放射線損傷欠陥の研究

АЛЕКСАНДРОВ Л Н; ЗОТОВ М И; СТАСЬ В Ф; СУРИН Б П

文献

J-GLOBAL ID：200902015697473890 整理番号：84A0324961

中性子照射に起因するシリコン中の放射線損傷欠陥の研究

Исследование радиационных дефектов в кремнии, облученном нейтронами.

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資料名：
巻： 18 号： 1 ページ： 72-75 発行年： 1984年01月
JST資料番号： R0267A ISSN： 0015-3222 CODEN： ETPPA 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：ロシア (RUS) 言語：ロシア語 (RU)

中性子照射したSiの電気物理的性質の変化と内部摩擦法でみた欠...

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半導体の放射線による構造と物性の変化

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