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J-GLOBAL ID：200902015698738862   整理番号：82A0455724

低基板温度におけるc軸配向およびエピタキシャルZnO膜のプラズマ増強有機金属化学蒸着

Plasma-enhanced metalorganic chemical vapor deposition of c-axis oriented and epitaxial films of ZnO at low substrate temperatures.

著者 (5件)： SHIOSAKI T (Kyoto Univ.) ,  SHIMIZU M (Kyoto Univ.) ,  YAMAMOTO T (Kyoto Univ.) ,  YAGI M (Kyoto Univ.) ,  KAWABATA A (Kyoto Univ.)
資料名： Proceedings. IEEE Ultrasonics Symposium  (Proceedings. IEEE Ultrasonics Symposium)
巻： 1981  ページ： 498-501  発行年： 1981年 
JST資料番号： A0437C  ISSN： 1051-0117  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 基板面に垂直なc軸方向の酸化亜鉛薄膜をガラス基板上に標記化学...

シソーラス用語： 弾性表面波素子 ,...

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分類 (2件)： 弾性表面波デバイス  (NC03120T) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (7件)： 基板温度 ,  c軸配向 ,  エピタキシャル ,  ZnO ,  プラズマ ,  増強 ,  有機金属化学蒸着