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文献J-GLOBAL ID:200902015703038599整理番号:92A0271750

Characterization of polycrystalline silicon by ebic.

EBICによる多結晶シリコンの特性評価

著者:KITTLER M(Inst. fuer Halbleiterphysik, Frankfurt(Oder), DEU)、LAERZ J(Inst. fuer Halbleiterphysik, Frankfurt(Oder), DEU)、MORGENSTERN G(Inst. fuer Halbleiterphysik, Frankfurt(Oder), DEU)・・・
資料名:J Phys 4 巻:1 号:C6 ページ:C6.173-C6.179
発行年:1991年12月
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