原子層的ドープ(ALD)技術をSi系に利用した素子の新しい構造

文献

J-GLOBAL ID：200902015708449902 整理番号：90A0144260

A new device structure utilizing atomic layer doping (ALD) technology in Si systems.

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資料名：
ページ： 17-20 発行年： 1988年
JST資料番号： K19890621 ISBN： 4-930813-27-1 資料種別：会議録 (C)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

標記ALD技術は微細構造に適し,n及びp型のALD層を持つ軽...

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