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J-GLOBAL ID：200902015708557560   整理番号：90A0127749

n型Si基板上の電子トンネルエミッタアレイ用絶縁体極薄膜の作製

Fabrication of ultrathin insulator films on n-Si substrate for electron tunnelling emitter arrays.

著者 (6件)： YOKOO K (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  UCHIMI A (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  OGISHI T (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  NAKAMURA R (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  ONO S (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  USAMI K (Univ. Electro-Commu., Chofu, JPN)
資料名： Institute of Physics Conference Series  (Institute of Physics Conference Series)
号： 99  ページ： 21-24  発行年： 1989年 
JST資料番号： E0403B  ISSN： 0305-2346  CODEN： IPHSAC  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ハニカム構造を有するMISトンネルダイオードを作製し,電流電...

シソーラス用語： ケイ素 ,...

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分類 (2件)： 金属-絶縁体-半導体構造【’81~’92】  (BM03074V) ,  ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (5件)： Si基板 ,  電子 ,  絶縁体 ,  極薄膜 ,  作製