ひずみのあるGa(As,P)薄層の特性

PISTOL M-E; LEYS M R; SAMUELSON L

文献

J-GLOBAL ID：200902015709615032 整理番号：88A0391004

ひずみのあるGa(As,P)薄層の特性

Properties of thin strained Ga(As,P) layers.

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巻： 37 号： 9 ページ： 4664-4670 発行年： 1988年03月15日
JST資料番号： D0746A ISSN： 1098-0121 CODEN： PRBMDO 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

GaP/Ga(As,P)/GaP二重ヘテロ構造試料を有機金属...

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半導体-半導体接触【’81~’92】 , 半導体のルミネセンス

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