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J-GLOBAL ID：200902015719581721   整理番号：89A0063253

Pイオンを注入したアモルファスシリコンの電気伝導

Electric conduction in P ion-implanted amorphous silicon.

著者 (4件)： 前田正雄 (金沢工大) ,  梅津好文 (ローム) ,  TAO W Z (Harbin Electronic Elements Research Inst., Ministry of Electronic Industry, CHN) ,  谷脇雅文 (北大 工)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 88  号： 161  ページ： 47-54(CPM88-43)  発行年： 1988年08月19日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 気相成長法で作った試料薄膜の伝導性について,注入量が10<s...

シソーラス用語： 気相成長 ,...

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分類 (1件)： 半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P)

タイトルに関連する用語 (4件)： Pイオン ,  注入 ,  アモルファスシリコン ,  電気伝導