文献

J-GLOBAL ID：200902015725739760   整理番号：91A0727182

重イオンRutherford後方散乱によるGaAsの表面近傍の化学量論に対する急速熱アニーリングの影響

Rapid thermal annealing effect on near-surface stoichiometry of GaAs by heavy-ion Rutherford backscattering.

著者 (4件)： GAGNON G (Univ. Montreal, Quebec, CAN) ,  HOUDAYER A (Univ. Montreal, Quebec, CAN) ,  CURRIE J F (Ecole Polytechnique de Montreal, Quebec, CAN) ,  AZELMAD A (Mitel S.C.C., Quebec, CAN)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 70  号： 2  ページ： 1036-1038  発行年： 1991年07月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： フォーミングガス環境で急速アニーリングをうけたGaAsウエハ...

シソーラス用語： Rutherford後方散乱 ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=91A0727182&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=C0266A") }}

分類 (1件)： 半導体の表面構造  (BK15030A)

タイトルに関連する用語 (6件)： 重イオン ,  Rutherford後方散乱 ,  GaAs ,  近傍 ,  化学量論 ,  急速熱アニーリング