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文献
J-GLOBAL ID:200902015727402089   整理番号:86A0206410

SiをドープしたGaAs/Al0.22Ga0.78As単一量子井戸中の束縛励起子

Bound excitons in Si-doped GaAs/Al0.22Ga0.78As single quantum wells.
著者 (3件):
資料名:
巻: 58  号:ページ: 1864-1866  発行年: 1985年09月01日 
JST資料番号: C0266A  ISSN: 0021-8979  CODEN: JAPIAU  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
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分類 (2件):
分類
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半導体-半導体接触【’81~’92】  ,  励起子 
タイトルに関連する用語 (5件):
タイトルに関連する用語
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